Танталовые мишенишироко используются в области полупроводников. Среди них наиболее распространенным применением является получение затравочных кристаллов полупроводников. С помощью таких процессов, как физическое осаждение из паровой фазы, слой полупроводникового материала осаждается на поверхность танталовой мишени, а затем затравка засеивается полупроводниковой пластиной. Подготовленный полупроводниковый материал обладает такими преимуществами, как высокая чистота, низкая плотность дефектов, хорошая однородность и т. д., и может быть использован для производства высокопроизводительных полупроводниковых приборов.
Помимо подготовки полупроводниковых затравочных кристаллов, танталовые мишени также можно использовать для приготовления других полупроводниковых материалов, таких как кремний, германий, карбид кремния и т. д. В таких процессах, как химическое осаждение из паровой фазы, танталовые мишени вводятся в реакционную камеру вместе с другими полупроводниковые предшественники для реакции и создания необходимой полупроводниковой пленки.